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雅中至江西800千伏特高压直流输电工程建设如期推进

2025-07-06 04:21:40音乐经典 作者:admin
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虽然对其带隙的精确值(从0.3eV到2.0eV)还没有达成共识,至江但之前的几篇著作都报道了BaBiO3是一种小型带隙半导体。这项工作为研究Bi3+基钙钛矿的电子结构提供了深入的思路,千伏期推并为新型p型氧化物半导体的开发提供了指导。

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特高图3.Ba2BiMO6薄膜的UV–vis–NIR光谱.a)MgO(001)衬底上生长的Ba2BiMO6薄膜的光学透射光谱和照片(插图);b)在MgO(001)衬底上生长的Ba2BiMO6薄膜的(αhυ)2和(αhυ)1/2图(插图)。光谱和计算相结合的方法,流输特别是利用不同光子能量探测s态的方法,可以进一步推广到其他具有s孤对电子的p型氧化物的研究。引言氧化物半导体作为现代光电子技术的关键材料,电工被广泛应用于平板显示器、太阳能电池、发光二极管和透明电子等领域。

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研究人员以以Cu3d10(CuMO2,M=Al,Cr等)、程建d6(ZnM2O4,M=Co,Rh,Ir)和d3构型(LaCrO3)的TM氧化物作为p型半导体进行了探索。研究结果增加了目前对钙钛矿氧化物电子结构的理解,雅中压直并为开发具有高迁移率的p型氧化物半导体提供了指导。

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由p型Ba2BiTaO6和n型Nb掺杂SrTiO3构成的P-N结二极管在±3V时具有1.3×104的高整流率,至江具有制备高质量器件的巨大潜力。

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